МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ
##semicolon##
siliconumumiy vergul ro'yxat seperatori magnetic semiconductorumumiy vergul ro'yxat seperatori manganese nanoclustersumumiy vergul ro'yxat seperatori magnetic resistance##article.abstract##
A large negative magnetoresistance phenomenon has been observed at room temperature by forming magnetic nanoclusters of manganese doped atoms in silicon by low-temperature diffusion. It has been shown that the negative magnetoresistance value can be controlled by controlling the concentration of manganese nanoclusters in silicon.
##submission.citations##
Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. Spin Resonance of Deep Level Impurities in Germanium and Silicon // J.Phys.Chem. Sol., 1959. V.8. P.490.
Фистуль В.И., Казакова В.М., Бобриков Ю.А., Рябцев А.В., Абдурахманов К.П., Зайнабидинов С., Камилов Т.С., Утамурадова Ш.Б.. О состоянии примесных ионов марганца в кремнии // Физика и техника полупроводников. – Санкт–Петербург, 1982.– Т. 16.– В.5– С. 939-941.
Kreissl J., Gehlhoff W. Electron Paramagnetic Resonance of the Cluster in Silicon // phys.stat.sol. 1988.– V.145 (b).– P. 609-616.
Алексеенко В.В. О механизме диффузии атомов в конденсированных средах // ФТТ. - Т. 50.– В.10.– С. 1775-1778.
Бахадирханов М.К., Аюпов К.С., Арзукулов Э.У., Сражев С.Н., Тошбоев Т.У. Термические свойство кремния с кластерами атомов никеля // Физика.–Томск, 2008.– № 3 (11).– C.170-172.
Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Мавлянов Г.Х., Сатаров О.Э., Эгамбердиев Б.Э., Сапарниязова З.П., Тачилин С.А. Подвижность носителей заряда в кремнии с многозарядными нанокластерами атомов марганца // VI – международная конференция и V – школа молодых ученных и специалистов. Кремний–2009, Новосибирск, 7-10 июля, 2009 г.
Бахадырханов М.К., Абдурахманов Б.А. Физико-технологические основе формирования кластеров примесных атомов в кремнии // Доклады АН РУз. – Ташкент, 2013. – № 3.– С. 29-33.
M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, and S.A. Tachilin. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials, 2011, Vol. 47, No. 5, pp. 479-483.
Bakhadyrkhanov M.K., Ayupov K.S., Mavlyanov G.Kh., Iliyev Kh.M., and Isamov S.B. Photoconductivity of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Russian Microelectronics, 2010, Vol. 39, No. 6. pp. 401-404.
Саьдуллаев, А.Б. and Курбонов, Н.А., 2017. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные свойства кремния в условиях сильной компенсации. Наука, техника и образование, (3 (33)), pp.14-16.
Саъдуллаев, А.Б. and Умиров, А.П., 2018. Высокочувствительные датчики магнитного поля на основе сильно компенсированного кремния, работающие при наличии фоновой освещённости. Universum: технические науки, (4 (49)), pp.7-7.
Саъдуллаев, А.Б., 2014. Особенности комплексообразования между примесными атомами марганца и кислорода в кремнии. Молодой ученый, (12), pp.50-52.
Файзиев, М.М., Имомназаров, А.Б., Ибрагимов, И.И. and Раджабов, М.К., 2022. СТАБИЛИЗАТОР ТОКА. Наука, техника и образование, (1 (84)), pp.38-42.
