МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННОГО МАРГАНЦЕМ КРЕМНИЯ
Ключевые слова:
silicon, magnetic semiconductor, manganese nanoclusters, magnetic resistanceАннотация
A large negative magnetoresistance phenomenon has been observed at room temperature by forming magnetic nanoclusters of manganese doped atoms in silicon by low-temperature diffusion. It has been shown that the negative magnetoresistance value can be controlled by controlling the concentration of manganese nanoclusters in silicon.
Библиографические ссылки
Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. Spin Resonance of Deep Level Impurities in Germanium and Silicon // J.Phys.Chem. Sol., 1959. V.8. P.490.
Фистуль В.И., Казакова В.М., Бобриков Ю.А., Рябцев А.В., Абдурахманов К.П., Зайнабидинов С., Камилов Т.С., Утамурадова Ш.Б.. О состоянии примесных ионов марганца в кремнии // Физика и техника полупроводников. – Санкт–Петербург, 1982.– Т. 16.– В.5– С. 939-941.
Kreissl J., Gehlhoff W. Electron Paramagnetic Resonance of the Cluster in Silicon // phys.stat.sol. 1988.– V.145 (b).– P. 609-616.
Алексеенко В.В. О механизме диффузии атомов в конденсированных средах // ФТТ. - Т. 50.– В.10.– С. 1775-1778.
Бахадирханов М.К., Аюпов К.С., Арзукулов Э.У., Сражев С.Н., Тошбоев Т.У. Термические свойство кремния с кластерами атомов никеля // Физика.–Томск, 2008.– № 3 (11).– C.170-172.
Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Мавлянов Г.Х., Сатаров О.Э., Эгамбердиев Б.Э., Сапарниязова З.П., Тачилин С.А. Подвижность носителей заряда в кремнии с многозарядными нанокластерами атомов марганца // VI – международная конференция и V – школа молодых ученных и специалистов. Кремний–2009, Новосибирск, 7-10 июля, 2009 г.
Бахадырханов М.К., Абдурахманов Б.А. Физико-технологические основе формирования кластеров примесных атомов в кремнии // Доклады АН РУз. – Ташкент, 2013. – № 3.– С. 29-33.
M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, and S.A. Tachilin. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials, 2011, Vol. 47, No. 5, pp. 479-483.
Bakhadyrkhanov M.K., Ayupov K.S., Mavlyanov G.Kh., Iliyev Kh.M., and Isamov S.B. Photoconductivity of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Russian Microelectronics, 2010, Vol. 39, No. 6. pp. 401-404.
Саьдуллаев, А.Б. and Курбонов, Н.А., 2017. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные свойства кремния в условиях сильной компенсации. Наука, техника и образование, (3 (33)), pp.14-16.
Саъдуллаев, А.Б. and Умиров, А.П., 2018. Высокочувствительные датчики магнитного поля на основе сильно компенсированного кремния, работающие при наличии фоновой освещённости. Universum: технические науки, (4 (49)), pp.7-7.
Саъдуллаев, А.Б., 2014. Особенности комплексообразования между примесными атомами марганца и кислорода в кремнии. Молодой ученый, (12), pp.50-52.
Файзиев, М.М., Имомназаров, А.Б., Ибрагимов, И.И. and Раджабов, М.К., 2022. СТАБИЛИЗАТОР ТОКА. Наука, техника и образование, (1 (84)), pp.38-42.
