КОМПЕНСИРЛАНГАН КРЕМНИЙ АСОСИДАГИ ҲАРОРАТ ДАТЧИКЛАРИНИНГ ФИЗИКАВИЙ ХУСУСИЯТЛАРИ
Keywords:
Компенсирланган кремний, ҳарорат датчик, заряд ташувчилар концентрацияси, сезгирлик даражаси, кимёвий элементлар бирикмалари, солиштирма электр ўтказувчанлик, термоэлектрик хусусият.Abstract
Мақолада марганец киришма атомлари билан ўта компенсацияланган кремний материали асосида ҳарорат датчикларини яратишнинг технологик жараёнлари батафсил ёритилган бўлиб, олинган экспериментал натижалар билан ҳарорат датчикларини тавсифловчи асосий парметрларини мавжудларига нисбатан сезиларли даражада яхшиланганлиги илмий жиҳатидан асослаб берилган.
References
А.Б.Саъдуллаев, Н.А.Курбанов. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на гальваномагнитные свойства кремния в условиях сильной компенсации. Российский научный журнал «Наука, техника и образование». Москва 2017 г. №3, стр. 14-16.
A.B. Sadullaev, A.P.Umirov. Influence of the concentration of nanoclusters of impurable manganese atoms on the parameters of auto-oscillation of the current. “EUROPEAN SCIENCE” 2019, №6, 6-10 р.
А.Б.Саъдуллаев и др. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на температурную область существования автоколебания типа температурно-электрической неустойчивости тока (ТЭН). “UNIVERSUM” 2022 г., №8 (101).
A.B. Sadullaev, В.А.Bobonazarov. Design Solutions of the Mechanism of Energy-Saving Direct and Indirect Drive for Magnetic Starters. IJITEE. Volume-9 Issue-3, January 2020.
А.Б.Саъдуллаев, Н.Ч.Узаков. Особенности создания высокочувствительных многофункциональных датчиков физических величин на основе кремния с нанокластерами марганца. Международная научно-практическая конференция. Science, education, innovation: topical issues and modern aspects. TALLIN, ESTONIA. 25-26.12.2021.
А.Б.Саъдуллаев, Б.Т. Шодиев. Об особенности создания высокочувствительных многофункциональных датчиков на основе кремния с нанокластерами цинка. IX Международная научно-практическая конференция «ADVANCING IN RESEARCH, PRACTICE AND EDUCATION», 08-11 марта 2022 г., Флоренция, Италия, ст.177-178.
N.F. Zikrillaev. Power spectra of impurity in semiconductors in the condition of strong compensation. SSP-2004. 8-th International Conference Soled state physics, August 23-26, 2004, Almaty, Kazakhstan Abstracts Almaty-2004, pp-254-255.
А.Б.Саъдуллаев. Аномально большой магнетосопротивление в сильно компенсированном кремнии легированного марганцем. SSP-2004. 8-th International Conference Soled state physics, August 23-26, 2004, Almaty, Kazakhstan Abstracts Almaty-2004, pp-366-367.
А.Б.Саъдуллаев. Влияние концентрации электроактивных атомов марганца на фотоэлектрические свойства кремния в условиях сильной компенсации. «Наука, техника и образование». Москва 2016 г. №4, стр. 5-8.
A.B.Sa’dullaev, A.P.Umirov. Influence of the concentration of nanoclusters of imputable manganese atoms on the parameters of auto-oscillation of the current. Научный журнал Российский Федерации “EUROPEAN SCIENCE” 2019, №6, 6-10 р.
M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, and S.A. Tachilin. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion //Inorganic Materials, 2011, Vol. 47, No. 5, pp. 479-483
М.К.Бахадырханов, Г.Х. Мавлонов, Х.М. Илиев. Угловая зависимость магнетосопротивления в кремнии при наличии нанокластеров атомов марганца // Узбекистон физика журнали т.16, №1. 2014 г. С. 46-50.
М.К.Бахадырханов, Х.М.Илиев, К.С. Аюпов, О.Э. Сатторов. Датчик магнитного поля на основе компенсированного кремния. // Письма в ЖТФ. – Санкт–Петербург, 2003. Т. 29. В. 17. С.8-16.
